研发能力
聚焦纳米科技,推动产业创新发展
干法去胶(手动)
手动,适用6/8英寸和不规则片;光刻胶去胶速率>1000nm/min;光刻胶去胶均匀性:片内<25%,片间<15%;批间<15%,刻蚀后去胶缺陷数与当层光刻前缺陷对比增加量<20ea(粒径>0.2µm)