CanonFPA-5000ES3

全自动扫描投影光刻机

对晶圆表面的光刻胶进行曝光，实现掩膜图形转移功能。 6/8英寸兼容，分辨率300 nm，自动投影式曝光，均匀性±5%，自动传片

Nikon NSR-2005I9C

全自动步进投影光刻机

对晶圆表面的光刻胶进行曝光，实现掩膜图形转移功能。 6/8英寸兼容，分辨率500 nm，自动投影式曝光，均匀性±5%，自动传片

合肥真萍 MD-40

HMDS涂覆机

光刻胶黏附剂气相涂覆。支持氮气氛围，控温范围： 室温+30℃~200℃，温度均匀性： ±5%，温度波动度： ±0.5℃，腔体尺寸： 450mm*450mm*450mm。

SUSS MA200Gen3

全自动接触式光刻机

全自动接触式曝光，可进行全自动化批量生产。 6/8英寸兼容，紫外曝光，分辨率1μm，均匀性±2.5%,支持接近式曝光。

SUSS ACS200GEN3

自动涂胶显影机

对晶圆自动涂胶、显影与烘烤，进行全自动化批量生产。6/8英寸兼容，支持3种以上光刻胶，支持前后烘功能，均匀性±5%，自动传片。

SUSS MA8Gen4

接触式光刻机#1

半自动接触式曝光。6/8英寸兼容，紫外曝光，分辨率1μm，均匀性±5%，支持接近式曝光。

SUSS MA6Gen4

接触式光刻机#2

半自动接触式曝光。4/6英寸兼容，紫外曝光，分辨率1μm，均匀性±5%,支持接近式曝光。

EVG-6200NT

接触式光刻和键合对准一体机

对晶圆进行正面、背面套准光刻，键合前对位夹持，实现光刻胶的曝光和键合前对位功能。 6/8英寸兼容，紫外曝光与键合对准，分辨率1μm，均匀性±5%，支持背面套刻。

OPTORUN OTFC-1300CBI

光学镀膜仪

光学类（减反射膜、高反射膜、分光膜和滤光膜等）薄膜蒸镀。4/6/8英寸兼容，支持3个以上坩埚，介质膜沉积，均匀性±5%，片间均匀性±5%；光学玻璃、石英等衬底上镀减反射膜、高反射膜、分光膜和滤光膜，以及其他功能性薄膜材料。

ULVAC SOPHI-260

离子注入机

适用于6/8英寸，支持3种以上掺杂源，注入能量可达200keV,注入角度可调整，具备自动传片功能，注入工艺常见元素B、P；均匀性≦1.5%；注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制。

荷兰 Tempress Systems TS8603BM

氧化炉

6/8英寸兼容，最高温度1100℃，膜厚均匀性±3%，折射率+-0.01，支持50片以上晶圆，炉管内控温精度±0.5℃，片内均匀性≤5%，片间均匀性≤5%，晶圆样本的干氧氧化，氢氧合成-湿氧氧化。

EVGroup EVG520IS

大压力键合机

6/8英寸兼容,最大压力大于50KN,最高温度500℃，支持氮气，精度±5μm；金属热压键合、金属共晶键合等功能。

EVGroup EVG510

键合机

4/6/8英寸兼容，最大压力可达3000mBar，最高电压可到-1500V，支持氮气，可以完成阳极键合，浆料键合。

昆山基侑 P300

备件清洗

用于部件清洗(如石英舟等)

昆山基侑 W2200

无机清洗台

适用于6/8英寸；用于用于晶圆半导体工艺中工艺中无机药液清洗和湿法腐蚀工艺

昆山基侑 W5500

有机清洗台

适用于6/8英寸；主要用于晶圆半导体工艺中有机药液去光刻胶等有机物清洗

江苏矽智 CZ-P2000

电镀槽

适用于6/8英寸；用于晶圆MEMS芯片互连线路或者结构件厚金属(Cu Ni Au)沉积和硅通孔(TSV）金属填充制作。

Carl Zeiss AG Sigma300

SEM系统

电压15kV,工作距离4 mm，分辨率1nm，主要用于器件的表征与分析，高分辨显微成像，微区元素分析.

Carl Zeiss AG Crossbeam 550L

FIB系统

场发射，具备FIB功能，具备元素分析功能，放大倍数可达30万，样品台可旋转，主要用于8英寸以内晶圆进行截面切割观察，成分分析，晶圆缺陷检测分析等.

KLA Alpha-Step®D-600

台阶仪

适用4/6/8英寸；最大量测长度≥55mm，重复性 < 5 Å（台阶≤1μm）或< 0.1%（台阶>1μm）

华海清科 Universal-200smart

化学机械抛光机

6/8英寸兼容，支持硅、氧化硅抛光，2-3个磨盘，粗糙度＜0.5nm，dishing＜30nm,干进干出

荷兰 Tempress Systems TS8603BM

低压化学气相沉积

适用于6/8英寸，最高温度800℃，支持50片以上晶圆，均匀性<5%，颗粒<30颗（>0.2μm)，可生长Si3N4、LS-Si3N4、Poly Si、Doped Poly、TEOS SiO2和 BPSG等薄膜材料。

ULVAC CC-200Cz

原子层沉积

适用于6/8英寸，用于沉积氧化物薄膜材料，如 Al203、H02、Zr02 等薄膜材料和沉积氮化物薄膜材料，如 AIN，TiN，Pt等薄膜材料.

ULVAC Ei-7z

电感耦合等离子体化学气相沉积

4/6/8英寸兼容，氧化硅沉积，非晶硅沉积，具备应力调控系统，均匀性±5%， 圆形基片的薄膜沉积用于沉积介质膜(Si02、SiNx、非晶硅)。

ULVAC Esz-R

电子束蒸发

4/6/8英寸兼容，金属薄膜沉积，支持4个以上坩埚，均匀性±5%，本地真空优于5E-4Pa，可蒸发沉积 Al、Au、Ag、Cr、Cu、Mo、Ni、Pt、Sn、Ti等金属薄膜。

ULVAC CS-200z

多靶磁控溅射

4/6/8英寸兼容，支持3种以上靶位，支持直流、射频和脉冲溅射，均匀性±5%，可进行双靶共溅射，靶材可选用Al、Ag、Ti、Ni、Au等。

北方华创 HSE M200

电感耦合等离子体刻蚀机#2(硅材料刻蚀）

全自动，4/6/8英寸兼容，支持F基刻蚀气体，支持6路气体，RF300W，ICP1000W，均匀性±5%；高深宽比(大于50:1)刻蚀；Bosch工艺。

ULVAC NLD-570

电感耦合等离子体刻蚀机#1（介质膜刻蚀）

6/8英寸兼容，支持F基刻蚀气体，支持6路以上气体，均匀性±5%，硅材刻蚀。

江苏鲁汶 TerbankTM Lorem®A

刻蚀系统

6/8英寸兼容，载片台可以倾斜，晶圆可旋转，Au刻蚀速率＞50nm/min，均匀性±3%含IBE、ICP、PECVD三个工艺模块。

SPTS Omega c2L Rapier

深硅刻蚀机

6/8英寸兼容，刻蚀速率3μm/min，光刻胶选择比大于100:1，深宽比大于50:1，均匀性±5%；最小线宽≤500nm

Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra

反应离子刻蚀机

6/8英寸兼容，支持F基气体，同时支持4路气体，RF400W,均匀性±5%；SiO2、SiNx薄膜刻蚀；单片loadlock自动传送

PVA TePla IoN 40

等离子清洗

手动，适用6/8英寸和不规则片；配备射频电源不小于600W；WIW 10%、WTW 10%

SINO Plasma 100

干法去胶（自动）

光刻胶去胶速率>1000nm/min；光刻胶去胶均匀性：片内<25%，片间<15%；批间<15%，刻蚀后去胶缺陷数与当层光刻前缺陷对比增加量<20ea（粒径>0.2µm)

Alpha plasma Q 240

干法去胶（手动）

手动，适用6/8英寸和不规则片；光刻胶去胶速率>1000nm/min；光刻胶去胶均匀性：片内<25%，片间<15%；批间<15%，刻蚀后去胶缺陷数与当层光刻前缺陷对比增加量<20ea（粒径>0.2µm)