SMILE平台设备推介：ULVAC NLD-570电感耦合等离子体刻蚀机#1（介质膜刻蚀）

 

ULVAC NLD-570 电感耦合等离子体刻蚀机专为 MEMS、光学器件及先进封装设计，搭载磁性中性线（NLD）等离子源，通过低压、低电子温度、高密度等离子体实现石英、玻璃、LN/LT 基板等介质材料的高精度刻蚀。其核心技术包括独立调控的双射频功率（3000W ICP 上电极 + 1000W 偏压下电极）、多气体混合功能（C3F8/C4F8/SF6 等）及深槽刻蚀能力（＞100μm），尤其擅长低温工艺（-20℃）下的侧壁垂直度控制（90°±0.5°），适配压力传感器、微流体器件及三维封装（如 TSV）的量产与研发。

 

1.等离子体参数：
NLD 等离子源支持 C3F8、C4F8、CHF3、CF4、O₂、Ar 等气体，刻蚀速率典型值 1-3μm/min（石英），对光刻胶选择比≥20:1；ICP 功率 0-3000W（13.56MHz），偏压功率 0-1000W（2MHz），支持动态气体流量调节。
2.真空系统：
极限真空度≤5×10⁻⁶ Pa，压力控制范围 0.1-100Pa，配备涡轮分子泵与干泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.温度控制：
下电极温度范围 - 20℃至 40℃（液氮 / 电阻加热），晶圆背氦制冷精度 ±0.1℃，支持低温刻蚀优化侧壁粗糙度（≤50nm）。
4.均匀性：
刻蚀速率均匀性≤±5%@6 英寸晶圆，支持图形密度补偿算法，侧壁垂直度误差≤0.5°。
5.处理能力：
兼容 4-6 英寸晶圆及碎片衬底，单批次处理 19 片晶圆，支持 SECS/GEM 协议工厂集成与多配方存储。
6.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，支持远程监控与故障预警，适配 MEMS 复杂结构及三维封装（如扇出封装、凸点封装）。
7.安全设计：
UV 与微波屏蔽观察窗，内置 Class 100 洁净腔室，减少颗粒污染与热变形影响。
（注：部分参数基于 ULVAC 同系列设备及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）