SMILE平台设备推介：SINO Plasma 100干法去胶（自动）

 

SINO Plasma 100 干法去胶机（自动）是专为 MEMS、化合物半导体及先进封装设计的全自动等离子体处理设备，支持 4-8 英寸晶圆及碎片衬底。设备采用 13.56MHz 射频等离子体源（可选远程等离子体源 RPS），通过真空环境下的氧气或混合气体等离子体实现光刻胶去除、表面清洁及牺牲层剥离。其核心技术包括高精度 3 轴机械手、双温区控温热板（≤350℃）及动态气体流量控制（数字 MKS 流量计），适配硅、玻璃、蓝宝石等材料，适用于压力传感器、微流体器件及三维封装结构的量产与研发。

 

 

1.处理能力：
支持 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，集成自动上下料与多配方存储功能，单批次处理 19 片晶圆，产能达 140 片 / 小时（8 英寸）。
2.等离子体源：
13.56MHz 射频功率 50-1200W 连续可调，支持 O₂、CF₄、N₂等气体，去胶速率典型值 6000-8000Å/ 分钟，适配厚胶（≤500μm）及高深宽比结构（深宽比≥10:1）。
3.真空系统：
极限真空度≤5×10⁻⁴ Pa，压力控制范围 1-100Pa，配备 35m³/h 干泵，抽气时间 15 分钟（大气压至 1.3×10⁻³ Pa）。
4.均匀性：
等离子体分布均匀性 ±5%@8 英寸晶圆，去胶速率均匀性≤±5%，支持动态剂量调节。
5.温度控制：
基板加热温度≤350℃，烘烤均匀性 ±10℃，支持高温工艺下的薄膜应力调控。
6.自动化：
支持 SECS/GEM 协议工厂集成，配备 7 英寸触摸屏人机界面，支持多工艺配方存储与实时监控。
7.环境控制：
内置 Class 100 洁净腔室，温度 ±0.1°C，湿度 ±2%，减少颗粒污染与热变形影响。