适用于6/8英寸，最高温度800℃，支持50片以上晶圆，均匀性<5%，颗粒<30颗（>0.2μm)，可生长Si3N4、LS-Si3N4、Poly Si、Doped Poly、TEOS SiO2和 BPSG等薄膜材料。