
研发能力
聚焦纳米科技,推动产业创新发展
氧化炉
6/8英寸兼容,最高温度1100℃,膜厚均匀性±3%,折射率+-0.01,支持50片以上晶圆,炉管内控温精度±0.5℃,片内均匀性≤5%,片间均匀性≤5%,晶圆样本的干氧氧化,氢氧合成-湿氧氧化。
6/8英寸兼容,最高温度1100℃,膜厚均匀性±3%,折射率+-0.01,支持50片以上晶圆,炉管内控温精度±0.5℃,片内均匀性≤5%,片间均匀性≤5%,晶圆样本的干氧氧化,氢氧合成-湿氧氧化。