SMILE平台设备推介：SPTS Omega c2L Rapier深硅刻蚀机

 

SPTS Omega c2L Rapier 深硅刻蚀机是专为 MEMS、先进封装及功率器件设计的高端等离子体刻蚀设备，支持 4-8 英寸晶圆及碎片衬底。设备采用 Bosch 工艺（交替钝化 - 刻蚀循环），通过 C4F8/SF6 气体组合实现硅材料的高深宽比刻蚀，刻蚀深宽比可达 50:1 以上。其核心技术包括双射频功率控制（13.56MHz + 2MHz）、动态气体流量调节及实时终点监测，适配压力传感器、微流体器件及硅通孔（TSV）等复杂结构的量产与研发，尤其擅长厚膜刻蚀（≤500μm）及低温工艺（-150℃）抑制侧向侵蚀。

 

1.等离子体源：
双射频功率（13.56MHz 射频功率 0-3600W，2MHz 偏压功率 0-2000W），支持 C4F8、SF6、O₂、Ar 等气体，刻蚀速率典型值 5-10μm/min（硅），对光刻胶选择比≥30:1。
2.真空系统：
极限真空度≤5×10⁻⁵ Pa，压力控制范围 0.1-100Pa，配备干泵与涡轮分子泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.温度控制：
下电极温度范围 - 150℃至 150℃（液氮 / 电阻加热），晶圆背氦制冷精度 ±0.1℃，支持低温刻蚀（-150℃）优化侧壁垂直度（90°±0.5°）。
4.均匀性：
刻蚀速率均匀性≤±5%@8 英寸晶圆，侧壁粗糙度≤50nm，支持图形密度补偿算法。
5.处理能力：
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，单批次处理 19 片晶圆，支持 SECS/GEM 协议工厂集成与多配方存储。
6.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，支持远程监控与故障预警，适配 MEMS 复杂结构及三维封装（如扇出封装、凸点封装）。
7.安全设计：
UV 与微波屏蔽观察窗，内置 Class 100 洁净腔室，减少颗粒污染与热变形影响。
（注：部分参数基于 SPTS 同系列设备（如 Omega LPX Rapier）及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）